美国寻求抗辐射高频模拟技术用于未来军事系统

　　中新网12月3日电 据中国国防科技信息网报道，美国国防威胁减除局(DTRA)11月28日发布了一份信息征询书(NTS139926578)，寻求先进抗辐射高频模拟和射频半导体技术，以支持“先进高频模拟和射频半导体技术研发与加固”项目。

　　DTRA将向行业寻求辐射测试、建模和模拟技术，以评估单粒子效应(SEE)和总剂量效应(TID)的辐射环境下高频半导体的模拟和射频性能。

　　DTRA也关注90纳米以下半导体的抗辐射建模、仿真和抗辐射加固设计技术，设备类型包括硅锗双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)和硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBTs)。DTRA关注的其他设备类型还包括45纳米绝缘硅(SOI)芯片、氮化镓异质结场效应晶体管(GaAn HFET)功率半导体和其他抗辐射微电子和光子器件，用于当前和未来军事系统，如卫星和导弹。

　　(工业和信息化部电子科学技术情报研究所 陈皓)